KD2B10降压模块技术特性

KD2B10降压模块技术特性:

无级调压功能:无论合母电压如何变化,KD2B10L控制输出电压稳定在220V±0.5%(或110V±0.5%)。

带电拨插技术、软开关技术,双向调压特性:交流不停电时,KD2B10L降压模块将来自合母的电压降至220V(或110V);如果交流停电,电池由于不断地放电,当电压低于220V(或110V)时,KD2B10L降压模块将来自电池的电压升压至220V(或110V)绝对保证控母电压始终稳定在220V(或110V)。
KD2B10高频开关降压模块与传统硅堆降压的比较:

KD2B10高频开关降压模块采用无级调压方式,控制输出电压稳定在220V±0.5%(110V±0.5%),输出精度高。硅降压一般6-10V为一级降压,因而输出最少有3-5V的误差。

KD2B10高频开关降压模块降压范围大,输入电压可到320V,可降压100V。硅降压一般不超过35V,当输入电压超过降压范围时,输出电压会随之升高。

KD2B10高频开关降压模块采用无级双向调压方式,当输入电压低到180V(对于220V系统)时,仍能够输出稳定的220V。硅降压无法做到双向调压。

KD2B10高频开关降压模块响应速度快,输入电压突变时(如均浮充转换时),模块在200μS内调整完成,过冲小于5%,不会对控母造成冲击或欠压。硅降压响应速度慢,反应时间为几十毫秒,输入电压突变时在输出上会产生很大的瞬间冲击。

KD2B10高频开关降压模块备份十分方便,可靠性高;硅链降压的备份则十分不便。

KD2B10高频开关降压模块采用带电插拔结构,维护方便。硅链降压无法采用带电插拔结构,维护更换十分不便。

KD2B10高频开关降压模块由于采用了输入与输出隔离的电路结构,所以绝对不会出现由于降压回路被击穿,而导致合母电压直接加到控母上。硅链降压(或斩波器)由于无法采用隔离措施,无法避免这一情况。

 

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